DDR SDRAM (англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — удвоенная скорость передачи данных синхронной памяти с произвольным доступом) — это тип оперативной памяти используемой в компьютерах. При использовании DDR SDRAM достигается большая полоса пропускания, нежели в обыкновенной SDRAM, за счет передачи данных по обоим фронтам сигнала. За счет этого фактически почти удваивается скорость передачи данных, не увеличивая при этом частоты шины памяти. Таким образом, при работе DDR на частоте 100 МГц мы получим эффективную частоту 200МГц (при сравнении с аналогом SDR SDRAM). В спецификации JEDEC есть замечание, что использовать термин «МГц» в DDR некорректно, правильно указывать скорость «миллионах передач в секунду через один вывод данных».

Ширина шины памяти составляет 64 бита, то есть по шине за один такт одновременно передается 8 байт. В результате получаем следующую формулу для расчета максимальной скорости передачи для заданного типа памяти: тактовая частота шины памяти x 2 (передача данных дважды за такт) x 8 (число байтов передающихся за один такт). Например, Чтобы обеспечить передачу данных дважды за такт, используется специальная архитектура «2n Prefetch». Внутренняя шина данных имеет ширину в два раза больше внешней. При передаче данных сначала передаётся первая половина шины данных по переднему фронту тактового сигнала, а затем вторая половина шины данных по заднему фронту.

Кроме передачи двух данных за такт, DDR SDRAM имеет несколько других принципиальных отличий от простой памяти SDRAM. В основном они являются технологическими. Например, был добавлен сигнал QDS, который располагается на печатной плате вместе с линиями данных. По нему происходит синхронизация при передаче данных. Если используется два модуля памяти, то данные от них приходят к контроллеру памяти с небольшой разницей из-за разного расстояния. Возникает проблема в выборе синхросигнала для их считывания. Использование QDS успешно это решает.

JEDEC устанавливает стандарты для скоростей DDR SDRAM, разделённые на две части: первая чипов памяти, а вторая для модулей памяти, на которых, собственно, и размещаются чипы памяти.

Спецификация чипов памяти

• DDR200: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 100 МГц
• DDR266: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 133 МГц
• DDR333: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 166 МГц
• DDR400: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 200 МГц

Спецификация	Тактовая частота шины памяти	Максимальная теоретическая пропускная способность памяти
в одноканальном режиме	в двухканальном режиме
PC1600 (DDR200)	100МГц	1600 Мбайт/сек	3200 Мбайт/сек
PC2100 (DDR266)	133МГц	2133 Мбайт/сек	4267 Мбайт/сек
PC2400 (DDR300)	150МГц	2400 Мбайт/сек	4800 Мбайт/сек
PC2700 (DDR333)	166МГц	2667 Мбайт/сек	5333 Мбайт/сек
PC3200 (DDR400)	200МГц	3200 Мбайт/сек	6400 Мбайт/сек
PC3500 (DDR433)	217МГц	3467 Мбайт/сек	6933 Мбайт/сек
PC3700 (DDR466)	233МГц	3733 Мбайт/сек	7467 Мбайт/сек
PC4000 (DDR500)	250МГц	4000 Мбайт/сек	8000 Мбайт/сек
PC4300 (DDR533)	267МГц	4267 Мбайт/сек	8533 Мбайт/сек

Размеры модулей также стандартизированы JEDEC.

Надо заметить, что никакой разницы в архитектуре DDR SDRAM с различными частотами, например между PC1600 (работает на частоте 100МГц) и PC2100 (работает на частоте 133МГц). Просто стандарт говорит о том, на какой гарантированной частоте работает данный модуль. Следовательно, любой модуль можно запускать как на более низкой тактовой частоте (такое действие носит название «андерклокинг» — «underclocking»), так и на более высокой частоте по сравнению с той, на которой работает данный модуль памяти (оверклокинг — overclocking).

Модули памяти DDR SDRAM можно отличить от обычной SDRAM по числу выводов (184 вывода у модулей DDR против 168 выводов у модулей с обычной SDRAM). Модули DDR работают при напряжении питания 2,5 В, в отличие от SDRAM, которая работает при напряжении питания 3,3 В, что существенно снижает тепловыделение, например, память DDR400 512Мб потребляет около 13 Вт в режиме максимальной нагрузки, для модулей 256 Мб тепловыделение почти в 2 раза меньше.

Большинство выпускаемых сегодня чипсетов позволяют использовать модули DDR SDRAM в двухканальном, а некоторые чипсеты и в четырехканальном режиме. Данный метод позволяет увеличить в 2 или 4 раза соответственно пропускную способность шины памяти. Для работы памяти в двухканальном режиме требуется 2(или 4) модуля памяти, рекомендуется использовать модули работающие на одной частоте и имеющие одинаковый объем и тайминги (ещё лучше использовать абсолютно одинаковые модули).

Сейчас модули DDR постепенно вытесняются модулями типа DDR2, которые в результате некоторых изменений в архитектуре позволяют работать на более высоких частотах. Ранее главным конкурентом DDR SDRAM являлась память типа RDRAM (Rambus), однако ввиду наличия некоторых недостатков со временем была практически вытеснена с рынка.

Официальный сайт JEDEC
http://www.jedec.org/

Официальный сайт производителя памяти OCZ
http://www.ocztechnology.com/

Официальный сайт производителя памяти Corsair
http://www.corsairmicro.com/

Официальный сайт производителя памяти Kingston
http://www.kingston.com/

О DDR памяти на overclockers.ru
http://www.overclockers.ru/lab/15689.shtml